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日本进口 TKK大明化学99.99高纯氧化铝粉
日本进口 TKK大明化学99.99高纯氧化铝粉
采用碱性碳酸铝铵(NH₄AlCO₃(OH)₂)前驱体合成‑煅烧路线,区别于醇盐水解法,实现粉体单颗粒化,减少硬团聚,原生粉体活性高,具备优异低温烧结能力。
超高纯度,极低放射性杂质Al₂O₃≥99.99%,TM‑DAR 达 99.995%;Si、Fe、Na 等杂质大多<10ppm;U<4ppb,Th<5ppb,放射性极低,规避电子器件软错误风险,适配半导体、MLCC 严苛管控场景。
优异低温烧结性能1250‑1300℃即可致密烧结,达到理论密度 98% 以上;降低窑炉能耗,抑制晶粒异常长大,烧结体致密度高、强度高、耐磨耐腐蚀,可做半透明 / 透明陶瓷(HIP 热等静压后 600nm 透光率>85%)。
超细单颗粒,团聚少一次颗粒 0.1‑0.2μm,颗粒单分散性好,硬团聚少;成型性优良,干压、流延、注射成型均适配,烧结后晶粒组织均匀稳定。
烧结体机械性能优异烧结陶瓷抗弯强度高、莫氏硬度 9,耐酸碱腐蚀,耐磨性能突出,可制作精密耐磨结构件。
表格
| 型号 | 纯度 | 一次粒径 | BET 比表面积 | 核心定位 |
|---|---|---|---|---|
| TM‑UF | 99.99% | 0.1μm | 14‑15㎡/g | 纳米级超低温烧结,超薄陶瓷、精密光学元件 |
| TM‑DA | 99.99% | 0.1μm | 13.5㎡/g | 通用高纯低温烧结,电子陶瓷、结构陶瓷 |
| TM‑DAR | 99.995% | 0.1μm | 14.5㎡/g | 旗舰透明陶瓷专用,LED 基板、YAG、光学窗口,HIP 高透光 |
| TM‑5D | 99.99% | 0.2μm | 9.0㎡/g | 通用结构陶瓷,耐磨件、喷嘴、轴承,性价比款 |
晶相:α‑Al₂O₃;烧结致密度≥理论 98%;振实密度:0.8‑1.0 g/cm³。
光学透明陶瓷TM‑DAR 为主,LED 散热基板、光学窗口、高压钠灯灯管、YAG 激光晶体坯料,热等静压后获得高透光陶瓷件。
电子与半导体行业MLCC 多层陶瓷电容器介质粉体、IC 基板、半导体加工治具、传感器基材;极低 U/Th,防止芯片软错误,保障元器件稳定性。
精密结构陶瓷耐磨轴承、喷嘴、切削零件、机械密封件,高强度耐磨损陶瓷零部件。
新能源及其他固态电池陶瓷填料、催化剂载体、合成尖晶石原料、研磨原料。
烧结温度优势显著,但不要对标普通 1600℃级氧化铝的烧结工艺,需要下调烧结温度,保温时间适当优化。
粉体超细,注意储存防潮,避免受潮团聚影响成型。
TM‑DAR 光学级对烧结气氛、粉体洁净度要求高,生产环境尽量减少外来杂质引入。



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